Technologia HJT dla modułów fotowoltaicznych

• Bardzo cienka wewnętrzna warstwa pasywacyjna krzemu i warstwa domieszkowa krzemu typu P są tworzone na górnej stronie płytki typu monokrystalicznego krzemu N, po teksturowaniu i czyszczeniu powierzchni. Następnie po drugiej stronie osadzana jest bardzo cienka wewnętrzna warstwa pasywna krzemu i warstwa domieszkowa krzemu typu N.
• Po osadzeniu stosów warstw krzemu amorficznego, stosuje się technologię powlekania PVD magnetron sputtering, do osadzania przezroczystego tlenku folii przewodzącej (TCo) i stosu metali po obu stronach ogniw.
• Wreszcie, metalowe siatki po obu stronach są tworzone przez naszą innowacyjną technologię metalizacji.

• Wykorzystanie wysokowydajnego ogniwa słonecznego heterojunction skutkuje wydajnością modułu na poziomie 21,5%.
• Wiodąca technologia ogniw Half-cut HJT.
• Bardziej stabilny współczynnik temperatury zasilania -0,24% powoduje stabilny wzrost wydajności.
• Korzystanie z wafla typu N, nie LID spowodowane przez B-O pary.
• Doskonała odporność PID.
• Dwustronny współczynnik 85% przynosi większy przyrost wydajności od tyłu do tyłu.

Aby dowiedzieć się ile energii produkuje fotowoltaika, warto najpierw zrozumieć jak zbudowane są moduły fotowoltaiczne oraz na jakiej zasadzie funkcjonują.